机译:INAS / INASSB II型应变层超晶格单极屏障红外探测器的开发
机译:用于中红外LED的INAS / INASSB Type-II紧张层超晶格
机译:高探测率(<1 * 10 / sup 10 / cm平方根Hz / W),InAsSb应变层超晶格,光电红外探测器
机译:金属有机化学气相沉积法优化InAsSb / InGaAs应变层超晶格生长用于红外发射体
机译:在中波长红外线(MWIR)P-and N型INASSB和INAS / INASSB Type-II紧张层超大图格(T2SL)用于红外检测
机译:用于高温操作的InAs / InAsSb应变层超晶格中波红外探测器
机译:发射波长和S-P之间的相互作用在11μm以上的MOCVD-生长的InGaAs / GaAs量子点中的发射波长和S-P分裂
机译:通过mOCVD生长的Inassb / InGaas应变层超晶格中的界面,用于红外发射器